NT-C18 Plus的(de)性能優勢

• *的鍵合和封(feng)尾技術，堿(jian)性化合物峰(feng)形好(hao)
• 柱效高(gao)、質量穩定性(xing)好
• 內置Odreams^®技術保護柱，使(shi)用壽命長(chang)
• 主要用于堿性化合物等容易拖尾的樣品分(fen)析

NT-C18 Plus設計原理

液相(xiang)色(se)譜(pu)分析(xi)中堿性化合物峰形拖尾是一種非常普遍、常見(jian)的(de)(de)(de)現象，究其原因(yin)是由于色(se)譜(pu)柱內(nei)填料(liao)中的(de)(de)(de)殘(can)(can)余(yu)硅(gui)羥基引(yin)起的(de)(de)(de)。殘(can)(can)余(yu)硅(gui)羥基是在填料(liao)鍵(jian)合的(de)(de)(de)過程中產生，且由于立體效應無法*消除，是硅(gui)膠基質色(se)譜(pu)柱不可(ke)避免的(de)(de)(de)負面影(ying)響。殘(can)(can)余(yu)硅(gui)羥基具(ju)有弱酸性，在流(liu)動(dong)相(xiang)中存在一定成都(dou)的(de)(de)(de)電離，形成Si-O^–負離子，而(er)帶(dai)氨基的堿性(xing)化合物在流動(dong)相中易形成(cheng)氨基正離子-H₃N⁺、-RH₂N⁺或-R₂HN⁺，正負離子之(zhi)間的(de)相(xiang)互吸引(yin)力(li)較強，比液相(xiang)分(fen)析中(zhong)起主要(yao)作用的(de)分(fen)子間作用力(li)大(da)得多(duo)，由于靜電(dian)吸引(yin)力(li)是近程作用力(li)，只有相(xiang)對較少的(de)樣品分(fen)子能(neng)與殘余硅羥基的(de)Si-O^–負離子相互作(zuo)用，因(yin)此在色譜分(fen)離過程中，少量樣品分(fen)子保留能力變強，出峰滯后，由此產生了譜圖中的(de)峰形拖尾。

殘余(yu)硅羥基(ji)是(shi)引(yin)起樣品峰形拖尾的主(zhu)要原因。液相(xiang)方法(fa)中通(tong)常通(tong)過調整流動(dong)相(xiang)的pH、在流動(dong)相中(zhong)加入三乙胺、辛(xin)烷磺酸鈉、四(si)丁基溴化銨等試劑用(yong)于(yu)改(gai)善峰形，其原理都是抑制殘余硅羥基的(de)Si-O^–負離(li)子(zi)與(yu)氨基(ji)正離(li)子(zi)的靜電作用，從而(er)達到改善(shan)峰形的目(mu)的。譜(pu)寧科技(ji)對NT-C18的(de)設計原理亦(yi)是(shi)如此，通過從填料源頭上消除殘余(yu)硅羥基(ji)，阻(zu)礙二者(zhe)的(de)靜電作用以改善(shan)(shan)拖尾(wei)，殘余(yu)硅羥基(ji)沒(mei)有了(le)，自(zi)然也(ye)就不會與樣品分子產生次級保(bao)留作用，因而抑制了(le)峰(feng)形(xing)拖尾(wei)，改善(shan)(shan)峰(feng)形(xing)、提高柱(zhu)效。

Pntulips^® NT-C18 Plus性(xing)能(neng)參數