NT-C18 Plus拖尾色譜柱的性能優勢

• *的鍵合(he)(he)和封尾技術(shu)，堿性化合(he)(he)物峰(feng)形好(hao)

• 柱效高、質(zhi)量穩(wen)定性好

• 內置Odreams®技術保護(hu)柱，使用(yong)壽命長

• 主要用于堿性(xing)化合物等容易拖尾的(de)樣品分(fen)析

NT-C18 Plus拖尾色譜柱設計原理

液(ye)相(xiang)(xiang)色譜(pu)分(fen)(fen)析中(zhong)堿(jian)性化合(he)物峰(feng)形(xing)拖尾(wei)是一種非常普遍、常見的現象，究其原因(yin)(yin)是由(you)于(yu)色譜(pu)柱(zhu)內填料(liao)中(zhong)的殘(can)余硅羥(qian)基(ji)引(yin)起的。殘(can)余硅羥(qian)基(ji)是在填料(liao)鍵合(he)的過程中(zhong)產生(sheng)，且由(you)于(yu)立體效應(ying)無法*消(xiao)除(chu)，是硅膠基(ji)質(zhi)色譜(pu)柱(zhu)不(bu)可避免的負(fu)(fu)(fu)面影響(xiang)。殘(can)余硅羥(qian)基(ji)具有弱酸(suan)性，在流動相(xiang)(xiang)中(zhong)存在一定成都的電離，形(xing)成Si-O–負(fu)(fu)(fu)離子(zi)，而(er)帶氨(an)基(ji)的堿(jian)性化合(he)物在流動相(xiang)(xiang)中(zhong)易形(xing)成氨(an)基(ji)正離子(zi)-H3N+、-RH2N+或(huo)-R2HN+，正負(fu)(fu)(fu)離子(zi)之間的相(xiang)(xiang)互吸引(yin)力(li)較(jiao)強(qiang)，比液(ye)相(xiang)(xiang)分(fen)(fen)析中(zhong)起主要作(zuo)用(yong)的分(fen)(fen)子(zi)間作(zuo)用(yong)力(li)大得多，由(you)于(yu)靜電吸引(yin)力(li)是近程作(zuo)用(yong)力(li)，只有相(xiang)(xiang)對(dui)較(jiao)少(shao)的樣品(pin)(pin)分(fen)(fen)子(zi)能與殘(can)余硅羥(qian)基(ji)的Si-O–負(fu)(fu)(fu)離子(zi)相(xiang)(xiang)互作(zuo)用(yong)，因(yin)(yin)此在色譜(pu)分(fen)(fen)離過程中(zhong)，少(shao)量樣品(pin)(pin)分(fen)(fen)子(zi)保留能力(li)變強(qiang)，出峰(feng)滯后，由(you)此產生(sheng)了譜(pu)圖中(zhong)的峰(feng)形(xing)拖尾(wei)。

殘(can)余硅羥(qian)基是(shi)引起樣品峰形拖(tuo)尾(wei)的(de)(de)主要原因(yin)(yin)。液相(xiang)方法中通常(chang)通過調整(zheng)流(liu)動相(xiang)的(de)(de)pH、在(zai)流(liu)動相(xiang)中加入三乙胺、辛烷磺酸鈉、四丁基溴化銨等試劑用(yong)于改善(shan)峰形，其(qi)原理都是(shi)抑(yi)制殘(can)余硅羥(qian)基的(de)(de)Si-O–負離(li)子與氨基正離(li)子的(de)(de)靜電作用(yong)，從而達到改善(shan)峰形的(de)(de)目的(de)(de)。譜寧科(ke)技(ji)對NT-C18的(de)(de)設計原理亦是(shi)如此，通過從填料(liao)源(yuan)頭上消除殘(can)余硅羥(qian)基，阻礙二者的(de)(de)靜電作用(yong)以(yi)改善(shan)拖(tuo)尾(wei)，殘(can)余硅羥(qian)基沒有了，自然也就不會(hui)與樣品分子產(chan)生次級保留作用(yong)，因(yin)(yin)而抑(yi)制了峰形拖(tuo)尾(wei)，改善(shan)峰形、提(ti)高柱(zhu)效(xiao)。

Pntulips® NT-C18 Plus性能參數